主な仕様
| 項目 | 単位 | 車載グレード | 産業用グレード | ダミーグレード | |
|---|---|---|---|---|---|
| 電気 特性 |
導電タイプ、ドーパント | - | N型、窒素 | N型、窒素 | N型、窒素 |
| 抵抗率 | Ω·cm | 0.015-0.025 | 0.015-0.025 | - | |
| 抵抗率の均一性 | % | ≤5 | ≤5 | - | |
| 結晶方位(off-axis基板) | ° | 4°toward<11-20>±0.2° | 4°toward<11-20>±0.2° | - | |
| 結晶方位(on-axis基板) | ° | [0001]±0.2° | [0001]±0.2° | - | |
| 物理 特性 |
直径 | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 厚さ | μm | 350±20 500±20 |
350±20 500±20 |
350±20 500±20 |
|
| ノッチ方向 | ° | [1-100]±5° | [1-100]±5° | [1-100]±5° | |
| ノッチ深さ | mm | 1.00～1.25 | 1.00～1.25 | 1.00～1.25 | |
| TTV | μm | ≤3 | ≤5 | ||
| LTV(10mm*mm) | μm | ≤2 | ≤2 | ||
| Bow | μm | -10～6 | -10～10 | ||
| Warp | μm | ≤10 | ≤25 |
より詳細な仕様については、
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■ 製造メーカー
社名 :Zhejiang CrystalYond Semiconductor Co., Ltd (CrystalYond)
住所 :浙江省绍兴市嵊州市経済開発区 浦南大道368号
設立 :2020年7月
資本金 : 2.04億元
http://www.crystal-yond.com/?_l=en
CrystalYondは紹興市嵊州経済技術開発区に位置する
2020年7月設立のハイテク半導体企業です。
高品質の8インチから12インチのSiCインゴット、
種結晶、基板を専門としています。
高品質のSiC製品製造技術を基盤に、第三世代半導
体製造および自動車用キーデバイスの顧客へのサー ビス提供を
目指し、新世代半導体材料のリーダーを 目指しています。
