試作の流れ
Prototype flow
ウェハプロセス Wafer Process
GaAs, InP, SiC, GaN on SiC等の化合物半導体の前工程(ウェハプロセス)を請け負います。
- ６インチ
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- ● HBT
- ● 0.25/0.5 um E/D pHEMT
- ● 0.15/0.1 um E-pHEMT
- ● 0.25 um ED BiHEMT
- ● Cu Pillar Bump
- ● IPD
- ● VCSEL
- ● 太陽電池
- ● MOSFET
- ● IGBT
- ● JBS
- ４インチ
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- ● 0.45/0.25/0.15 HEMT (GaN on SiC)
- ●太陽電池
- ●2.5/10/25G LD
- ●2.5/10G PD, APD
